[发明专利]一种超细晶粒纯钼块体材料的制备方法

摘要

一种超细晶粒纯钼块体材料的制备方法，属于高熔点金属和金属基热沉材料技术领域。其特征是先选择粒度小于10μm大于1μm的钼粉进行生坯的真空热压预烧，再将预烧的生坯置于一叶腊石模具中，放入压机对样品施加1-10GPa的压力，然后对样品两端施加的10-25kW交流电进行烧结，通电电流为1000A-3000A，通电时间为15秒-3分钟，通电烧结后，继续保压30秒-3分钟；烧结体经研磨抛光，相对密度为96-99.9％，晶粒尺寸要小于或等于所用原料的初始粉末粒度。预烧条件是压力为20-50MPa，真空度为10^-2-10^-3Pa，温度800-1000℃，时间30min-60min条件下进行。本发明制备得到的超细晶粒钼基块体材料有较好的力学性能和抗热冲击性，适于电子封装材料，热沉积材料，电触头材料以及耐高温等离子体冲刷部件，如核聚变装置中的偏滤器材料等。

主权项

1.一种超细晶粒纯钼块体材料的制备方法，其特征是工艺步骤为：a、原料的准备：选择粒度＜10μm的钼粉，当钼粉粒度小于1μm时，要对钼粉预先采用喷雾干燥法进行造粒；b、生坯的预烧：将经上述处理的钼粉装入石墨磨具，在压力为20-50MPa，真空度为10-2-10-3Pa，温度800-1000℃，时间30min-60min条件下进行真空热压预烧；c、烧结：将预烧的生坯置于一叶腊石模具中，放入压机中；首先对样品施加1-10GPa的压力，压力是双向加压或六面加压；然后对样品两端施加10-25kW的交流电进行烧结，其中通电电流为1000A-3000A，通电时间为15秒-3分钟，通电烧结后，继续保压30秒-3分钟；烧结体经研磨抛光，相对密度为96-99.9％，晶粒尺寸要小于或等于所用原料的初始粉末粒度。