[发明专利]一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200910077679.3 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800287A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶；步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻，得到栅介质图形；步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜；步骤4、剥离得到栅介质图形，再次进行光刻得到源电极图形、漏电极图形和栅电极图形；步骤5、电子束蒸发源、漏和栅的电极金属，剥离得到电极图形；步骤6、蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。利用本发明得到的平面结构有机场效应晶体管，减少了工艺流程提高的器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 结构 有机 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶；步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻，得到栅介质图形；步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜；步骤4、剥离得到栅介质图形，再次进行光刻得到源电极图形、漏电极图形和栅电极图形；步骤5、电子束蒸发源、漏和栅的电极金属，剥离得到电极图形；步骤6、蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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