[发明专利]用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚有效
| 申请号： | 200910076877.8 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101787560A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;张国春;张辉;郑丽丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚为铱金坩埚；其特征在于，还包括：垂向固定于所述铱金坩埚内底面中心处的铱金支撑立柱；固定于所述铱金支撑立柱上端呈水平放置的铱金片，所述铱金片边缘与铱金坩埚边缘保留空隙；所述铱金片为平面型、凹面型或凸面型；铱金坩埚中安装的铱金片起到热源的作用，有效改变了生长界面处的气液温差，加强了质量输运和热量传输，生长出的晶体无包裹体、生长条纹等缺陷，可大幅度提高晶体利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 熔体提拉法 生长 晶体 调节 温差 异形 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚，包括铱金坩埚本体；其特征在于，还包括：垂向固定于所述铱金坩埚本体内底面中心处的铱金支撑立柱；和固定于所述铱金支撑立柱上端呈水平放置的铱金片；所述铱金片边缘与铱金坩埚本体边缘保留空隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所，未经中国科学院理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910076877.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
