[发明专利]有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 200910076560.4 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101488560A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张长沙;王占国;石明吉;彭文博;刘石勇;肖海波;廖显伯;孔光临;曾湘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法，其主要步骤如下：步骤1：在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层；步骤2：在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层，或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层；步骤3：在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层；步骤4：在所沉积的N层或P层之上制备导电电极；步骤5：对所制备的电池进行连接、测试、封装。本发明具有较好的光吸收性能与较好的电学输运性质，从而提高电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 染料 分子 敏化非晶硅 微晶硅 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法，其主要步骤如下：步骤1：在透明或者非透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层；步骤2：在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层，或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层；步骤3：在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层；步骤4：在所沉积的N层或P层之上制备导电电极；步骤5：对所制备的电池进行连接、测试、封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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