[发明专利]溶胶凝胶法制备氧化锌薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 200910071288.0 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101510513A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 乔英杰;李辰砂 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/368 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南通*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种溶胶凝胶法制备氧化锌薄膜晶体管的方法。配制含醋酸锌和二乙醇胺的异丙醇溶液；将含醋酸锌和二乙醇胺的异丙醇溶液旋涂或拉膜涂覆于ATO/ITO/glass基体的ATO层上，ATO层和ITO层的厚度分别在400nm以下；在150℃到200℃预热10-15分钟，而后在400℃到650℃下热处理15-20分钟；重复进行涂覆、预热和热处理操作至形成的氧化锌薄膜厚度达到30nm-100nm；用蒸镀方法在氧化锌薄膜表面制备源漏电极阵列。采用本发明的方法制备的氧化锌薄膜场效应晶体管，氧化锌半导体薄膜具有理想的晶形结构和半导体性能，克服了溶液法以外其它方法的生产成本高和其它溶液法制备的氧化锌薄膜场效应晶体管的性能低下的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 溶胶 凝胶 法制 氧化锌 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种溶胶凝胶法制备氧化锌薄膜晶体管的方法，其特征是：配制含醋酸锌和二乙醇胺的异丙醇溶液，其中醋酸锌与二乙醇胺的摩尔比为0.1∶1到10∶1，锌离子在溶液中的摩尔浓度为0.01M到0.5M；将含醋酸锌和二乙醇胺的异丙醇溶液旋涂或拉膜涂覆于ATO/ITO/glass基体的ATO层上，ATO层和ITO层的厚度分别在400nm以下；在150℃到200℃预热10-15分钟，而后在400℃到650℃下热处理15-20分钟；重复进行涂覆、预热和热处理操作至形成的氧化锌薄膜厚度达到30nm-100nm；用蒸镀方法在氧化锌薄膜表面制备源漏电极阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
