[发明专利]一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法

摘要

一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法。有机发光效应晶体管为底栅极垂直结构，有机光发射单元垂直堆叠在电容单元上，通过一个共有的源电极构成，其结构依次为：衬底、栅电极、电介质绝缘层、源电极、氧化层、有机发光复合功能薄膜层和漏电极。其制备方法是：在刚性或柔性衬底上制备栅电极，甩膜或蒸镀绝缘层，在绝缘层上蒸镀源电极，接着蒸镀有机发光复合功能薄膜层，最后蒸镀漏电极。采用该结构有机发光场效应晶体管，制作工艺简单，可将载流子的导电沟道缩减至一百纳米左右，载流子通道面积大大增加，实现集光发射和传统的效应管调节作用于一体的多功能，在低的工作电压下对光发射的控制，起到利用效应管驱动发光单元的作用。

主权项

1. 一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管，其特征在于该有机发光场效应晶体管包括电容单元和有机光发射单元，有机光发射单元垂直堆叠在电容单元上；所述的电容单元依次包括衬底层、底栅电极层、电介质绝缘层和源电极，所述的有机光发射单元依次包括源电极、有机发光功能复合层和漏电极，电容单元和有机光发射单元通过中间共有的源电极连在一起。