[发明专利]一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管，其特征在于该有机发光场效应晶体管包括电容单元和有机光发射单元，有机光发射单元垂直堆叠在电容单元上；所述的电容单元依次包括衬底层、底栅电极层、电介质绝缘层和源电极，所述的有机光发射单元依次包括源电极、有机发光功能复合层和漏电极，电容单元和有机光发射单元通过中间共有的源电极连在一起。

2.根据权利要求1所述的底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管，其特征在于所述的衬底层为柔性或刚性的透明材料。

3、根据权利要求1所述的底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管，其特征在于所述的底栅电极层、源电极和漏电极为透明导电材料。

4、根据权利要求3所述的底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管，其特征在于所述的源电极厚度为20nm，并且表面粗糙，使其与有机发光功能复合层接触形成大的载流子注入势垒。

5、根据权利要求1所述的底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管，其特征在于所述的电介质绝缘层为有机物、无机物或有机物与无机物的混合物。

6、根据权利要求1所述的底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管，其特征在于所述的有机发光功能复合层包括：空穴传输层和发光层。

7、一种权利要求1所述的底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

第一、电容单元的制备：选择刚性或柔性的透明衬底，然后在衬底上蒸镀底栅电极，甩膜或蒸镀一层电介质绝缘层，然后沉积源电极；

第二、有机光发射单元的制备：在第一步制备的电容单元的源电极上面沉积有机发光功能复合层，然后再沉积漏电极。

8、根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于源电极上面沉积的有机发光功能复合层依次包括：空穴传输层和发光层。