[发明专利]一种聚酰亚胺塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件的制造方法无效
申请号: | 200910068278.1 | 申请日: | 2009-03-27 |
公开(公告)号: | CN101510575A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 耿新华;张建军;倪牮;陈新亮;繁正海;薛俊明;侯国付;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 侯 力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种聚酰亚胺塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件的制造方法,将透光性好的浆体聚酰亚胺刮涂在普通玻璃上,分两部低温固化,形成玻璃-聚酰亚胺薄膜复合衬底,然后按着玻璃衬底硅基薄膜太阳电池组件的制备工艺形成电池组件,引线封装后采用室温下用水浸泡的方式将已制备好的太阳电池组件从玻璃上剥离,从而获得塑料衬底的柔性电池集成组件。本发明的优点是:可利用现已成熟的玻璃衬底硅基薄膜太阳电池组件的制备设备和加工技术制造新型塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件,节省了昂贵的柔性衬底太阳电池设备和工艺的设计、可大大降低了制造成本,有利于加快该类新型电池的产业化进程。 | ||
搜索关键词: | 一种 聚酰亚胺 塑料 衬底 柔性 薄膜 太阳电池 集成 组件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种聚酰亚胺塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件的制造方法,其特征在于步骤如下:1)以普通玻璃为载体,将聚酰亚胺浆体刮涂在玻璃载体上,在80℃温度下进行固化然后在200℃温度下进行化学亚胺化,形成玻璃-聚酰亚胺薄膜复合衬底,聚酰亚胺薄膜厚度为20μm~100μm,在可见光范围内的透过率大于80%,真空中可以耐受200℃的高温烘烤;2)采用溅射或金属有机化学气相淀积方法,在玻璃-聚酰亚胺薄膜复合衬底上低温制备氧化锌透明导电薄膜前电极,衬底温度为100-200℃,氧化锌薄膜的厚度为500nm-1000nm,电阻率为10-3~10-4S/cm;3)采用YAG激光器切割上述氧化锌透明导电薄膜;4)在玻璃-聚酰亚胺-氧化锌衬底基片上,采用玻璃衬底硅基薄膜太阳电池的工艺制备pin型硅基薄膜电池,pin型硅基薄膜电池为单结结构、双结叠层结构或三结叠层结构;5)采用倍频YAG激光器切割上述硅基薄膜电池;6)采用真空蒸镀或溅射的方法制备铝或银金属背电极;7)采用倍频YAG激光器切割金属背电极,形成集成电池组件;8)分别从集成组件的正极和负极引线,然后采用乙烯—醋酸乙烯共聚物膜和柔性耐候聚酯膜对集成组件进行封装;9)将封装好的集成电池组件放在水中浸泡5分钟~20分钟,然后将电池组件从玻璃临时载体上剥离,即可制得聚酰亚胺塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的