[发明专利]一种背面铝扩散N型太阳能电池及制作背电极方法无效
| 申请号： | 200910062232.9 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101635317A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 丁孔奇 | 申请（专利权）人： | 珈伟太阳能（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430206湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种背面铝扩散N型太阳能电池及制作背电极方法，该电池从正面至背面结构依次为：银金属栅线正电极(1)；-氮化硅减反射膜(2)；位于硅片正面的磷扩散层(3)；N型单晶硅片(4)；位于硅片背面的银铝背电极(6)；位于硅片背面的背铝P型扩散层(7)；其特征是：在N型单晶硅片(4)背面与银铝背电极(6)之间的N型单晶硅片(4)的背面设有P型隔离层(5)。本发明使得无需对常规P型太阳能的产线进行改造就可以生产N型电池，解决了生产N型电池与P型电池共线生产的关键问题之一。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 扩散 太阳能电池 制作 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种背面铝扩散N型太阳能电池，该电池从正面至背面结构依次为：-银金属栅线正电极(1)；-氮化硅减反射膜(2)；-位于硅片正面的磷扩散层(3)；-N型单晶硅片(4)；-位于硅片背面的银铝背电极(6)；-位于硅片背面的背铝P型扩散层(7)；其特征是：-在N型单晶硅片(4)背面与银铝背电极(6)之间的N型单晶硅片(4)的背面设有P型隔离层(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
