[发明专利]一种提高硅太阳电池效率的发射极结构

摘要

一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，包括已形成单个或多个PN结的硅太阳电池基片，其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜，该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面。本发明利用透明导电膜和焊点收集太阳电池基片表面光电流，利用栅线汇集各焊点的电流并将太阳电池基片产生的电力输出。由于本发明采用了透明导电膜和若干焊点代替背景技术中的分栅线，因此，减小太阳电池基片发射极的遮光面积以及光反射，同时还减小了太阳电池基片顶层横向电流引起的功率损失和电池的串联电阻等，进而提高硅太阳电池的效率。

主权项

1、一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，包括已形成单个或多个PN结的硅太阳电池基片，其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜，该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面。