[发明专利]一种提高硅太阳电池效率的发射极结构

权利要求书

1、一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，包括已形成单个或多个PN结的硅太阳电池基片，其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜，该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面。

2、根据权利要求1所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述透明导电膜的厚度为5—100nm。

3、根据权利要求1所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述透明导电膜采用透明导电氧化金属材料。

4、根据权利要求1所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述透明导电膜采用ITO，ZnO:Al等。

5、根据权利要求1所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是在硅太阳电池基片受光面上所有透明导电膜占电池受光面积的10％～100％。

6、根据权利要求1所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述透明导电膜表面为绒面；所述硅太阳电池基片受光而为绒面。

7、根据权利要求1所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述硅太阳电池基片为非晶硅、单晶硅或多晶硅。

8、根据权利要求1至7中任一权利要求所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述栅线平行布置在硅太阳电池受光面上，每条栅线与硅太阳电池基片受光面之间设置至少两个焊点，所述栅线为导电栅线。

9、根据权利要求8所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述栅线采用直径为0.1—0.17mm的金属丝线。

10、根据权利要求8所述的一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，其特征是所述相邻两条栅线之间的间距为2—6mm，所述每条栅线中相邻两焊点之间的间距为2—6mm。