[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910060576.6 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101476111A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 方国家;孙南海;肖红斌;李军 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C03C17/22 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铟锡铝锌氧化物复合透明导电薄膜，其特征是：由铟锡合金靶与金属掺杂氧化锌导电陶瓷形成复合靶，采用磁控溅射技术共溅射形成，其中，所述铟锡合金靶的组成为In90％wt，Sn10％wt。本发明可室温条件下溅射制备铟锡铝锌氧化物透明导电薄膜，该工艺的优点是：基片不需要加热；薄膜可大面积沉积；电极导电性好；有较好的透光性；可在柔性衬底上制备；薄膜表面具有良好的平整度且电学性能稳定。该工艺适用于各种场效应晶体管、薄膜太阳能电池、薄膜发光器件和其他高温耐受性较差的光电子器件、电子器件的透明电极制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种透明导电薄膜，其特征是：由铟锡合金靶与铝掺杂氧化锌导电陶瓷形成复合靶，采用磁控溅射技术共溅射形成，所述复合靶的结构是将铝掺杂氧化锌导电陶瓷置于铟锡合金靶的辉光区，其中，导电陶瓷与铟锡合金靶的面积比为5～10％。
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