[发明专利]双回路电极设计的发光二极管芯片无效
| 申请号： | 200910057039.6 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859824A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 武良文;冯辉庆;简奉任 | 申请（专利权）人： | 山东璨圆光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 264500*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双回路电极的发光二极管芯片，包括基板、第一型掺杂半导体层、发光层、第二型掺杂半导体层、第一电极层及第二电极层。第一型掺杂半导体层设置于基板上，而发光层设置于第一型掺杂半导体层上，且第二型掺杂半导体层设置于发光层上。第一电极层设置于第一型掺杂半导体层上，且第一电极层呈封闭循环图案。第二电极层设置于第二型掺杂半导体层上，并位于第一电极层所围成的区域内，且第二电极层呈封闭循环图案。本发明的双回路电极的发光二极管芯片可避免因电极断裂而降低发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 回路 电极 设计 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种双回路电极设计的发光二极管芯片，其特征是：包括，基板，第一型掺杂半导体层，设置于基板上；发光层，设置于第一型掺杂半导体层上，且暴露出部分第一型掺杂半导体层；第二型掺杂半导体层，设置于发光层上；第一电极层，设置于第二型掺杂半导体层上，且第一电极层呈封闭图案；以及第二电极层，设置于第二型掺杂半导体层上，并位于第一电极层所围成的区域内，且第二电极层呈封闭图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东璨圆光电科技有限公司，未经山东璨圆光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910057039.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
