[发明专利]制造接触接合垫的方法及半导体器件有效
申请号: | 200910056718.1 | 申请日: | 2009-08-20 |
公开(公告)号: | CN101996930A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 王娉婷;杨承;李承赫;吴金刚 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/108;H01L23/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种制造接触接合垫的方法及半导体器件。所述方法包括:在半导体衬底中依次形成隔离区及有源区,由隔离区对有源区进行分隔,每个有源区包括一个或多个接触区,在接触区之间形成凸起结构,在凸起结构上依次形成覆盖层、绝缘体层及光致抗蚀剂层,并去除光致抗蚀剂层的一部分以形成连续线型开口,去除开口内的绝缘体层、覆盖层及部分半导体衬底,沉积导电填充材料并执行平坦化工艺,从而形成位于凸起结构间的接触接合垫。 | ||
搜索关键词: | 制造 接触 接合 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件制造接触接合垫的方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底中形成隔离区;在半导体衬底中形成多个有源区,所述有源区由隔离区分隔,每个有源区包括一个或多个接触区;形成多个预定高度的凸起结构,所述凸起结构位于各个接触区之间;沉积覆盖层;在覆盖层上形成绝缘体层;在绝缘体层上形成光致抗蚀剂层;去除光致抗蚀剂层的一部分以形成连续线型开口,所述连续线型开口暴露了绝缘体层的至少位于接触区上的部分;去除光致抗蚀剂的连续线型开口中被暴露的绝缘体层;去除覆盖层的一部分以暴露接触区处的半导体衬底;去除预定厚度的被暴露的半导体衬底;去除剩余的光致抗蚀剂层;沉积导电填充材料;以及通过将位于每个凸起结构上的覆盖层用作抛光停止层来对导电填充材料和绝缘体层执行化学机械抛光工艺,从而形成多个接触接合垫,由所述凸起结构对所述多个接触接合垫进行分隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造