[发明专利]不对称晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 200910056032.2 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101989551A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 邹立;罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种不对称晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；在所述有源区表面形成栅极结构；在所述有源区内、栅极结构两侧形成漏极区、源极区和介于源极区与漏极区之间的沟道区；在衬底表面形成覆盖所述漏极区、源极区和栅极结构的介质层；在介质层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀介质层直至形成暴露出漏极区的第一沟槽和暴露出源极区的第二沟槽；所述第二沟槽的线宽大于第一沟槽；以所述光刻胶图形为掩膜，对沟道区进行离子注入，形成口袋区，所述口袋区与源极区相邻，所述口袋区掺杂类型与源极区相反；在所述第一沟槽和第二沟槽内形成金属插塞。本发明能够节约掩膜版的费用投入，并且节约了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种不对称晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；在所述有源区表面形成栅极结构；在所述有源区内、栅极结构两侧形成漏极区、源极区和介于源极区与漏极区之间的沟道区；在衬底表面形成覆盖所述漏极区、源极区和栅极结构的介质层；在介质层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀介质层直至形成暴露出漏极区的第一沟槽和暴露出源极区的第二沟槽；所述第二沟槽的线宽大于第一沟槽；以所述光刻胶图形为掩膜，对沟道区进行离子注入，形成口袋区，所述口袋区与源极区相邻，所述口袋区掺杂类型与源极区相反；在所述第一沟槽和第二沟槽内形成金属插塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910056032.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
