[发明专利]金属连线的制造方法无效
| 申请号： | 200910053707.8 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101645415A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;王立兵;康军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属连线的制造方法，包括以下步骤：提供一半导体基底；在所述基底上形成阻挡层；对所述阻挡层进行热处理；在所述阻挡层上形成金属层；在所述金属层上形成隔离层和抗反射层；在所述抗反射层涂覆光刻胶层，图案化光刻胶层定义出导线图案；依次刻蚀所述抗反射层、所述金属层和所述阻挡层，形成导线结构。该制造方法是在半导体基底上形成阻挡层步骤和形成金属层步骤之间增加热处理步骤，对阻挡层起到退火的效果，使阻挡层重新结晶而硬化，减小了后续在阻挡层上形成的金属层因退火等热处理所导致的金属晶格的压应力，使金属层不会出现凸起或尖凸的情况，进而保证了制造出的器件的电子稳定性，提高了产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 连线 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属连线的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基底；在所述基底上形成阻挡层；对所述阻挡层进行热处理；在所述阻挡层上形成金属层；在所述金属层上形成隔离层；在所述金属层上形成抗反射层；在所述抗反射层涂覆光刻胶层，图案化光刻胶层定义出导线图案；依次刻蚀所述抗反射层、所述金属层和所述阻挡层，形成导线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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