[发明专利]一种旋转陶瓷靶材的制备方法无效
| 申请号： | 200910051156.1 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101705467A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 庄维新;庄志杰 | 申请（专利权）人： | 上海高展金属材料有限公司;溧阳市高展光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/06;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 曹立维 |
| 地址： | 200051 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜技术领域，尤其涉及一种旋转陶瓷靶材的制备方法。该制备方法如下：(1)制备靶材前躯体：称取纯度不低于99wt％的金属氧化物粉体，装入模具，进行冷等静压，制得靶材前躯体，其中：反应压力为130～230MPa，反应时间为20～70min；(2)烧结：将步骤(1)中所得靶材前躯体放入烧结炉中，烧结致密，其中：烧结温度为1000～1600℃，烧结时间为40～85小时。使用本发明方法制得的旋转套餐，其壁厚可达到平面靶材的数倍，从而延长客户连续使用靶材的时间，提高连续生产能力和减低总生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 旋转 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种旋转陶瓷靶材的制备方法，其特征在于该制备方法如下：(1)制备靶材前躯体称取纯度不低于99wt％的金属氧化物粉体，装入模具，进行冷等静压，制得靶材前躯体，其中：反应压力为130～230Mpa，反应时间为20～70min；(2)烧结将步骤(1)中所得靶材前躯体放入烧结炉中，烧结致密，其中：烧结温度为1000～1600℃，烧结时间为40～85小时。
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