[发明专利]制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法

摘要

本发明涉及GaN基光电器件的制造方法，提供一种制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，采用ICP刻蚀技术将p型GaN层刻蚀至n型GaN层，包括步骤：第一步主刻蚀，采用Cl₂和Ar的混合气体作刻蚀气体，从p型GaN层刻蚀至n型GaN层上表面；第二步辅刻蚀，采用BCl₃气体作刻蚀气体，从所述n型GaN层上表面刻蚀掉部分n型GaN。本发明可降低ICP刻蚀对p型GaN表面和n型GaN表面所带来的缺陷损伤和热损伤，使得后续清洗表面光刻胶的工艺简化，提高了生产效率和产品质量。

主权项

1.一种制造GaN基光电器件的低损伤ICP刻蚀方法，采用ICP刻蚀技术将p型GaN层刻蚀至n型GaN层，其特征在于，包括以下步骤：第一步主刻蚀，采用Cl2和Ar的混合气体作刻蚀气体，工作气压为0.3-2Pa，ICP功率为120-180W，从p型GaN层刻蚀至n型GaN层上表面；第二步辅刻蚀，采用BCl3气体作刻蚀气体，工作气压为0.3-2Pa，ICP功率为120-180W，从所述n型GaN层上表面刻蚀掉部分n型GaN。