[发明专利]一种静电放电保护二极管

摘要

一种静电放电保护二极管，属于静电放电保护电路领域。本发明提供的静电放电保护二极管包括半导体衬底、第一导电类型的第一阱区、用于与第一阱区形成PN结的第二导电类型的第二阱区、用于形成所述二极管的电极的第一导电类型的第三阱区、浅沟槽隔离区以及设置于所述浅沟槽隔离区正上方的栅电极层。通过在浅沟槽隔离区的正上方设置栅电极层，控制栅电极层上的电压特性，使浅沟槽隔离区四周、特别是其正下方形成电阻率相对较低的导通沟道，从而使静电放电二极管的正向导通电阻大大降低，静电放电二极管的静电保护效果增加。

主权项

1、一种静电放电保护二极管，包括：半导体衬底；第一导电类型的第一阱区，设置于半导体衬底之上；第二导电类型的第二阱区，设置于第一阱区的上表层，用于与第一阱区形成PN结；第一导电类型的第三阱区，设置于第一阱区的上表层，用于形成所述二极管的电极；浅沟槽隔离区，设置于第二阱区与第三阱区之间，用于防止所述第二阱区与第三阱区直接接触导通；其特征在于，还包括设置于所述浅沟槽隔离区正上方的栅电极层。