[发明专利]用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料有效
| 申请号： | 200910046486.1 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101488557A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 凌云;龚岳峰;宋志棠;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;C22C12/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其组分为SicSbaSeb，其中，48≤b≤60，20≤a≤40，8≤c≤40，a+b+c＝100；或60≤b≤80，20≤a≤40，3≤c≤20，a+b+c＝100。与现有技术相比，本发明所述的Si-Sb-Se相变薄膜材料比常用的Ge2Sb2Te5材料具有更快的结晶速度，可以有更快的读写速度，有着更好的数据保持特性，有着比SbSe两元材料更好的热稳定性。同时该材料不含元素Te，是一种环境友好材料，与CMOS工艺兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 si sb se 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1、一种用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其组分为SicSbaSeb.，其中，48≤b≤60，20≤a≤40，8≤c≤40，a+b+c＝100；或60≤b≤80，20≤a≤40，3≤c≤20。
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