[发明专利]高比表面积花状氢氧化铟粉体的制备方法无效
| 申请号： | 200910042832.9 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101508462A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 陈曙光;周杨;夏清;廖红卫;陈颖;李富进 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜 勇 |
| 地址： | 410083湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及高比表面积花状氢氧化铟的制备方法，属于无机材料制备工艺技术领域。以In3+的水溶性盐为铟源，尿素为碱源，十二烷基硫酸钠为表面活性剂，采用水热法制备氢氧化铟粉体。在90-105℃低温水热条件下恒温反应12-24h，冷却至室温后过滤得到沉淀，洗涤，离心沉淀，烘干即得到由纳米片层组装而成的花状高比表面积花状氢氧化铟粉体。本发明的优点在于：本发明采用低温水热法制备花状氢氧化铟，不仅能使晶体在非受限的条件下充分生长，具有比表面积高，晶体形貌、大小可控，结晶完好等优点，而且获得的粉体的比表面积在20-40m2/g，XRD衍射表明主晶相为In(OH)3且沿[100]方向择优取向生长，杂相为InOOH且含量全部小于12％。该体系在微电子、光电、敏感器件、催化剂、碱性电池等领域拥有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 表面积 氢氧化 铟粉体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、高比表面积花状氢氧化铟粉体的制备方法，其特征在于以含In3+的水溶性无机盐水溶液为铟源，尿素为碱源，十二烷基硫酸钠为表面活性剂，将以上反应物经超声震荡后，在密封反应器90-105℃低温水热反应12-24h；冷却过滤得到沉淀物经洗涤，离心沉淀，烘干后即得花状氢氧化铟。
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