[发明专利]一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺有效
| 申请号： | 200910037424.4 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101494252A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 朴松源;李静;郭育林 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B08B3/00;B08B3/02;B08B3/12 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 225131江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤：(1)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速将硅片表面大部分的浆料及反应物去除并排出；(2)超声波清洗：将快排加冲淋后的硅片放入超声清洗机中，用超声把残留在硅片表面的浆料清洗掉；(3)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速排出硅片表面经超声波清洗后仍然附着其上的杂质。与现在普遍采用的用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺相比，本发明可彻底清除掉硅片表面的各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 刻蚀 二氧化硅 浆料 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速将硅片表面大部分的浆料及反应物去除并排出；(2)超声波清洗：将快排加冲淋后的硅片放入超声清洗机中，用超声把残留在硅片表面的浆料清洗掉；(3)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速排出硅片表面经超声波清洗后仍然附着其上的杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
