[发明专利]一种线切割用碳化硅微粉的提纯净化工艺有效
申请号: | 200910033202.5 | 申请日: | 2009-06-15 |
公开(公告)号: | CN101920959A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 郭露村;郑益锋;陈涵 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36;B23H7/02 |
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地址: | 210009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种线切割用碳化硅微粉的提纯净化方法。该方法包括以下步骤:上料后首先除碳除油,做发泡实验,表面无油则合格;再用碱洗,检查水样pH=8.5-9.5,并且电导率值与所用水相当(差值≤0.003ms/cm)则合格;然后调整酸度,过量酸洗,检查水样pH=6-7,并且电导率值与所用水相当(差值≤0.002ms/cm)则合格,再干燥,得到经过提纯净化的合格碳化硅微粉。本发明的优点和效果:本发明为碳化硅微粉生产工艺中通过除碳除油、碱洗酸洗使SiC纯度得到提高,降低杂质的含量。并且本工艺操作简单,所需周期短,效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 切割 碳化硅 提纯 净化 工艺 | ||
【主权项】:
一种线切割用碳化硅微粉的提纯净化工艺,其特征在于,其步骤如下:(1)上料过程:取经过加工的碳化硅微粉入水槽,加入为碳化硅微粉2 3倍质量的水搅拌均匀,加温至40 50℃,边加温边搅拌并测温;(2)除碳过程:在上述溶液中加入总溶液体积0.0015 0.0025%的浮选油和煤油(两种油体积比为5∶1),记录液面刻度,然后在40 50℃恒温下连续搅拌30 60min,静置30 60min,排掉50% 60%的水;(3)加表面活性剂过程:a.加入为总溶液体积0.3 0.5%的表面活性剂SS 1000,再加水至刻度线,搅拌10 30min,继续升温到40 50℃,边加温边搅拌,40 50℃恒温30 60min后,再搅拌1 1.5h,静置30 60min,排掉约60 80%的水;b.加水至刻度线,加水时要搅拌,并加热至40 50℃,恒温10 30min,再继续搅拌30 60min,静置30 60min,排掉60 80%的水,一定要去除表面的油;重复b过程2 3次;做发泡实验,表面无油,合格,不合格则继续;(4)加碱过程:a.加水至刻度线,并加入为碳化硅微粉质量1.2 1.6%的氢氧化钠,搅拌30 60min,静置30 60min,再搅拌30 60min,静置30 60min,排掉75 90%的水;b.加水至刻度线,搅拌10 30min,静置30 60min,排掉75 90%的水;c.重复b过程3 5次,然后送水样检查pH=8.5 9.5,并且电导率值与所用水相当(差值≤0.003ms/cm),合格,不合格则继续;(5)加酸过程:a.再缓慢加入为总溶液体积的15 25%的浓硫酸(浓度为98%),加水至刻度线,搅拌30 60min,静置30 60min,再搅拌30 60min,静置30 60min,排掉75 90%的水;b.加水至刻度线,搅拌10 30min,静置30 60min,排掉75 90%的水;c.重复b过程4 6次,送水样检查pH=6 7,并且电导率值与所用水相当(差值≤0.002ms/cm),合格,不合格则继续,然后再干燥,得到经过提纯净化的合格碳化硅微粉。
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