[发明专利]基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法

摘要

本发明公开了基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其工艺步骤：步骤1.用H₂SO₄和H₂O₂混合溶液清洗硅片表面的有机物，再用去离子水清洗硅片，然后烘干；步骤2.用丝网印刷的方法将液态材料印刷在基底表面上，形成掩膜图形，掩膜的膜厚为20～70um；步骤3.将印刷好的硅片真空冻干；选择性刻蚀或注入掺杂后，将硅片浸入掩膜清洗液中清理表面的高分子聚合物。本发明方法，由于涂料快速固化，限制了它在基底上的铺展，线宽可以被很好地控制，该方法得到的掩膜最小线宽为70um，满足太阳能电池的要求。与光刻相比，这种方法不需要昂贵的设备，可以极大地降低制作掩膜的成本。

主权项

1、基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其工艺步骤如下：步骤1、清洗硅片表面的有机物，清洗液选H2SO4和H2O2混合溶液；再用去离子水清洗硅片，然后烘干，增加硅片表面的黏附性，烘干温度为：60℃～100℃；步骤2、用丝网印刷的方法将液态材料印刷在基底表面上，形成掩膜图形，掩膜的膜厚为20～70um；步骤3、将印刷好的硅片立即放入真空冻干设备中，温度调至-10℃～-30℃范围，压强为1.3Pa～30Pa，真空冻干的时间为10min～30min。。