[发明专利]一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺无效
| 申请号： | 200910030262.1 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101520350A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王树娟;何宇亮 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/00;B81C1/00;B81B7/02;B81C5/00 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214028*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺。工艺简单，易加工、生产成本低，且通过该工艺加工出的传感器芯片精度高、稳定性好。为此，本发明还提供了使用该工艺的传感器芯片。特征在于：其采用正反两面抛光的N型或P型硅基作衬底，在硅基衬底的正反两面各生长一层SiO2和Si3N4组成的复合绝缘膜，在所述上层复合绝缘膜上沉积掺杂或本征厚度4μm-6μm的纳米硅层，在纳米硅层上注入N型或P型杂质后通过光刻平面工艺制作成纳米硅力敏电阻，掺浓硼或浓磷在纳米硅力敏电阻上引出内引线，蒸AL反刻引出内引线合金化，所述硅基衬底反面通过体微加工形成背大膜区和背岛，硅基衬底底部通过硅玻璃键合形成绝压腔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 灵敏度 压力传感器 芯片 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种改良型高灵敏度微压力传感器制作工艺，特征在于：其采用正反两面抛光的N型或P型硅基作衬底，在硅基衬底的正反两面各生长一层SiO2和Si3N4组成的复合绝缘膜，在所述上层复合绝缘膜上沉积掺杂或本征厚度4μm-6μm的纳米硅层，在纳米硅层上注入N型或P型杂质后通过光刻平面工艺制作成纳米硅力敏电阻，掺浓硼或浓磷在纳米硅力敏电阻上引出内引线，蒸AL反刻引出内引线合金化，所述硅基衬底反面通过体微加工形成背大膜区和背岛，硅基衬底底部通过硅玻璃键合形成绝压腔。
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