[发明专利]晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法，在硅片表面采用氮化硅作为掩膜进行重扩散和浅扩散，形成重扩散区域和浅扩散区域。采用本发明有利于提高光生载流子的收集，尤其可以提高短波光生载流子的收集率，所以可以大幅度地提高太阳能电池的开路电压V_oc、短路电流I_sc和填充因子F.F.，从而使电池获得高的光电转换效率，这样的好处正是在太阳能电池不同的区域中形成掺杂浓度高低不同，扩散深浅不同所带来的。

主权项

1、一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法，其特征在于：在硅片表面镀氮化硅薄膜，再通过腐蚀性浆料在氮化硅薄膜上腐蚀出掩膜窗口，通过氮化硅掩膜制作选择性发射结的重扩散区域和浅扩散区域。