[发明专利]晶体硅太阳电池选择性扩散工艺

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，包括以下步骤：先将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂。本发明提供的工艺所制备的选择性发射极太阳电池，不仅短波效率高，而且具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的光刻技术腐蚀电极图形相比，设备成本低，生产效率高，适用于晶体硅太阳电池的工业化生产。

主权项

1、一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括在正面电极栅线区域进行高浓度磷扩散，在正面电极区域外进行低浓度磷扩散，其特征在于：将硅片清洗制绒后在硅片上制备一层致密的二氧化硅膜作为扩散阻挡层，然后采用激光刻槽技术选择性去除电极栅线区域的氧化膜并形成一定深度的凹槽，之后再进行高浓度磷扩散在电极区域形成重掺杂，同时在电极区域外形成轻掺杂。