[发明专利]带超大电阻和大容量电容的结型场效应管及制备方法无效
| 申请号： | 200910029367.5 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101527323A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 朱伟民;马晓辉;聂卫东 | 申请（专利权）人： | 无锡市晶源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337;H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市无锡国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 带超大电阻和大容量电容的结型场效应管及制备方法是一种在普通结型场效应管的基础上增加超大阻值的多晶硅电阻和大容量电容的改进型结型场效应管，该结型场效应管的结构是在栅极与源极之间增加超大阻值多晶硅电阻，在栅极与漏极极之间增加大容量电容。本发明的普通结型场效应管与超大阻值多晶硅电阻和ONO电容结构的改进型场结型效应管采用的是P<111>，电阻率为8~13Ω·cm；本发明的结型场效应管既具有输入电阻高的特点，同时又有着比普通结型场效应管低很多的噪声系数，同时受温度和辐射影响也很小，开拓了更广阔的市场，获取了更大的利润空间。 | ||
| 搜索关键词： | 超大 电阻 容量 电容 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带超大电阻和大容量电容的结型场效应管，其特征在于该结型场效应管的结构是在栅极与源极之间增加超大阻值多晶硅电阻，在栅极与漏极极之间增加大容量电容。
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