[发明专利]透明导电薄膜用湿法蚀刻液及其制造方法无效
申请号: | 200910026139.2 | 申请日: | 2009-04-01 |
公开(公告)号: | CN101519593A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 赵佳;黄巍;顾奇 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞晶化学有限公司;苏州苏电微电子信息化学品研发中心有限公司 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215128江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种透明导电薄膜用湿法蚀刻液及其制造方法,其配方:草酸(乙二酸)0.1%~11%,表面活性剂0.001wt%~10wt%,去离子水79~99.899wt%;制备时:先将去离子水加入分散锅中,搅拌下加入草酸、表面活性剂,搅拌10~60分钟,使其完全溶解均匀,过滤,出料。该蚀刻剂能在温和的条件下对无定形ITO层进行蚀刻,且蚀刻后不会有残渣,线条平整,精度高,其工艺操作十分方便、易于控制,广泛用于透明导电薄膜的蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 薄膜 湿法 蚀刻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 透明导电薄膜用湿法蚀刻液,其特征在于其组分具有如下的重量百分比:草酸0.1%~11%,表面活性剂0.001wt%~10wt%,去离子水79~99.899wt%。
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