[发明专利]透明导电薄膜用湿法蚀刻液及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种湿法蚀刻液，尤其涉及一种用于蚀刻在液晶显示器等中作为象素电极的透明导电膜的蚀刻液及其制造方法。

背景技术

由氧化铟锡制备的透明导电膜已经广泛地用于电子设备领域，并随着个人笔记本电脑、袖珍电视、信息便携终端等的进一步升级，对液晶显示器(LCD)甚至OLED显示器的需求继续上升。在平面显示器领域中，这种透明导电膜如ITO薄膜用作显示器的象素电极。其制作方法如下：在透明导电膜上均匀涂布上一层光致抗蚀剂，配合适当的掩膜板经曝光、显影后，再经蚀刻刻出线条，最后将余下的光致抗蚀剂去除。

在液晶显示器(LCD)领域发展初期，多晶ITO被广泛应用于该领域，适用的蚀刻剂有：盐酸/三氯化铁水溶液、碘酸水溶液、磷酸水溶液、盐酸/硝酸水溶液等。上述蚀刻液的不足之处：强酸性溶液腐蚀性强、危险性大，会导致铝等金属层的腐蚀，图形加工精度低等。目前，随着大尺寸、高精度和大型面板、铝制配线等的应用，越来越多的生产者开始采用无定形ITO层，对蚀刻液有了新的要求。

因此，生产出一种理想的用于无定形ITO层的蚀刻液，将是值得研究的具有重大经济意义的技术课题。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种透明导电薄膜(ITO)用湿法蚀刻液及其制造方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

透明导电薄膜用湿法蚀刻液，其组分具有如下的重量百分比：草酸(乙二酸)0.1％～11％，表面活性剂0.001wt％～10wt％，去离子水79～99.899wt％。

进一步地，上述的透明导电薄膜用湿法蚀刻液，草酸1.5％～4wt％，表面活性剂0.01wt％～5wt％。

更进一步地，上述的透明导电薄膜用湿法蚀刻液，所述表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂、脂肪醇聚氧乙烯醚系列表面活性剂、脂肪酸聚氧乙烯酯系列表面活性剂中的一种或几种的混合物。

更进一步地，上述的透明导电薄膜用湿法蚀刻液，所述烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂是辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚；所述脂肪醇聚氧乙烯醚系列表面活性剂是十二烷基醇聚氧乙烯醚；所述脂肪酸聚氧乙烯酯系列表面活性剂是硬脂酸聚氧乙烯5酯、硬脂酸聚氧乙烯10酯。

再进一步地，透明导电薄膜用湿法蚀刻液的制造方法，特点是：先将去离子水加入分散锅中，搅拌下加入草酸、表面活性剂，搅拌10～60分钟，使其完全溶解均匀，过滤，出料。

本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在：

本发明运用独特的科学配方对草酸(乙二酸)、表面活性剂进行了科学的配制，采用聚氧乙烯醚系列表面活性剂，能大大降低蚀刻液的表面张力，保证蚀刻后线条平整，同时还缩短了工艺时间，提高了工效，蚀刻后不会留有残渣。另外，湿法蚀刻液蚀刻透明导电薄膜(ITO)时，其工艺操作很方便，易于控制，无易挥发物质，不污染环境，危险性小，可重复性佳，可广泛用于透明导电薄膜的蚀刻。

附图说明

下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：

图1是玻璃基板的横截面图，在玻璃基板上形成一层无定形的ITO膜，将光致抗蚀剂涂布在ITO膜上后曝光、显影。

图2是图1中的基板被实施例1中所述的蚀刻液蚀刻后，再用光致抗蚀剂剥离液去除光致抗蚀剂后的状态。

图3是图1中的基板被比较例1中所述的蚀刻液蚀刻后，再用光致抗蚀剂剥离液去除光致抗蚀剂后的状态。

其中，a代表玻璃基板，b代表无定形ITO膜，c代表光致抗蚀剂，d代表蚀刻后的残渣。

具体实施方式

透明导电薄膜用湿法蚀刻液，由草酸(乙二酸)、表面活性剂和去离子水组成，其含量：草酸(乙二酸)0.1wt％～11wt％，表面活性剂0.001wt％～10wt％，其余为去离子水。表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)系列表面活性剂，具体是辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚等；脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)系列表面活性剂，具体是十二烷基醇聚氧乙烯醚等；脂肪酸聚氧乙烯酯(AE)系列表面活性剂，具体是硬脂酸聚氧乙烯5酯、硬脂酸聚氧乙烯10酯等，可以是其中的一种或几种的混合物。

理想的配方优选：草酸(乙二酸)0.5wt％～6wt％，表面活性剂0.01wt％～5wt％，其余为去离子水。

制备透明导电薄膜用湿法蚀刻液的工艺过程是：先将去离子水加入分散锅中，搅拌下加入草酸、表面活性剂，一般先溶解草酸再加表面活性剂，搅拌10～60分钟，使其完全溶解均匀，过滤，出料。