[发明专利]一种氟掺杂氧化锡透明导电膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910017946.8 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101638772A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 闫金良;赵银女;石亮;刘建军;李厅 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264025山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种偏压射频磁控溅射法制备SnO2:F透明导电膜的方法，属于电子材料技术领域。将纯度99.99％的SnO2粉末和99％的SnF2粉末按重量比95∶5～85∶15充分混合，压制成型后，在空气中190～210℃下烧制成SnO2:F靶材。将靶材和清洗过的有机柔性基材送入射频磁控溅射仪，用偏压射频磁控溅射技术在有机柔性基材衬底上室温制备SnO2:F透明导电膜。溅射仪靶材到衬底的距离40～80mm，溅射室基础真空小于1.0×10-3Pa，溅射气体氩气压强0.3～5Pa，溅射偏压0～-100V，溅射功率50～200W。本发明的优点是衬底不需要加热，制造工艺简单、成本低廉、光电性能和稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氟掺杂氧化锡透明导电膜的制备方法，步骤如下：(1)将纯度99.99％的SnO2粉末和99％的SnF2粉末按重量比95∶5～85∶15充分混合，在100～200MPa压强、115～125℃温度下压制成型，压制成型时间为15～25分钟；在空气中190～210℃温度下烧结2400～3000分钟，烧制成SnO2:F靶材。(2)用超声波化学清洗有机柔性基材，然后将步骤(1)的靶材和清洗过的有机柔性基材送入射频磁控溅射仪，用偏压射频磁控溅射技术在有机柔性基材衬底上制备SnO2:F透明导电膜。溅射仪靶材到衬底的距离40～80mm，溅射室基础真空小于1.0×10-3Pa，溅射气体氩气压强0.3～5Pa，溅射偏压0～-100V，溅射功率50～200W。
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