[发明专利]制备接触部分及薄膜晶体管阵列面板的方法有效
| 申请号： | 200910007980.7 | 申请日： | 2005-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101552225A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 徐宗铉;洪雯杓;金大玉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/84;H01L23/532;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了制备接触部分及薄膜晶体管阵列面板的方法。本发明提供一种制备接触部分的方法，其包括：在衬底(110)上形成第一信号线；形成绝缘层(140)，该绝缘层覆盖第一信号线并具有显露第一信号线的接触孔(182，185)；在第一信号线通过该接触孔显露的表面上形成接触层(700)；以及，形成经该接触层连接到第一信号线的第二信号线(82，190)。其中，第一信号线是由Al或Al合金制备，第二信号线是由氧化铟锌或氧化铟锌制备。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 接触 部分 薄膜晶体管 阵列 面板 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备接触部分的方法，该方法包括：在衬底上形成第一信号线；形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一信号线并具有显露所述第一信号线的接触孔；通过将所述衬底浸泡在包括导电材料的化学转化溶液中，在所述第一信号线通过所述接触孔显露的表面上形成接触层；形成经所述接触层连接到所述第一信号线的第二信号线；其中，所述第一信号线是由Al或Al合金制备，所述第二信号线是由氧化铟锡或氧化铟锌制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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