[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种像素结构，包含第一图案化金属层、栅极绝缘层、半导体通道层、第二图案化金属层、保护层、多个第一接触孔和第二接触孔以及导电层。第一接触孔和第二接触孔同时形成于第一图案化金属层上的部分区域和第二图案化金属层上的部分区域上。第二图案化金属层中的栅极线通过导电层经第一接触孔和第二接触孔，与第一图案化金属层中的栅极延伸电极电性连接。第二图案化金属层中的源极通过导电层经第一接触孔和第二接触孔，与第一图案化金属层中的数据线段电性连接。此外，一种像素结构的制造方法也在此揭露。

主权项

1. 一种像素结构的制造方法，其特征在于，包含：形成一第一图案化金属层于一基板上，该第一图案化金属层包含一栅极、一栅极延伸电极、一第一数据线段以及一第二数据线段；形成一栅极绝缘层覆盖于该基板以及该第一图案化金属层上；形成一半导体通道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；形成一第二图案化金属层于该栅极绝缘层和该半导体通道层上，该第二图案化金属层包含一源极、一漏极、一栅极线以及一共通电极，其中该源极和该漏极对应于该栅极两侧上方的该半导体通道层上，该共通电极位于该第一数据线段的上方；形成一保护层覆盖于该栅极绝缘层和该第二图案化金属层上；同时形成多个第一接触孔以及多个第二接触孔，其中该些第一接触孔分别露出该第一图案化金属层中的该栅极延伸电极和该第二数据线段，该些第二接触孔分别露出该第二图案化金属层中的该栅极线、部分该源极以及部分该漏极；以及形成一导电层覆盖该些第一接触孔和该些第二接触孔，使得该第二图案化金属层中的该栅极线通过该导电层经该第一接触孔和该第二接触孔与该第一图案化金属层中的该栅极延伸电极电性连接，且该第二图案化金属层中的该源极通过该导电层经该第一接触孔和该第二接触孔与该第一图案化金属层中的该第二数据线段电性连接。