[发明专利]反应炉清洗装置有效
申请号: | 200910002794.4 | 申请日: | 2009-01-22 |
公开(公告)号: | CN101497443A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 远藤俊秀;手计昌之;石井敏由记;坂口昌晃 | 申请(专利权)人: | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035;C30B25/00;B08B9/093;C23C16/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种反应炉清洗装置,对生成多晶硅的反应炉的内壁面进行清洗,其中,将反应炉炉壁做成双层构造,在以水平状态设置的大致圆盘形状的承接盘的中央部沿铅直方向形成贯通孔,并在承接盘的外周部形成设置反应炉的开口缘部的凸缘部,在承接盘的贯通孔中以旋转自如且沿铅直方向移动自如的方式设置轴,在轴的上端部设置向三维方向高压喷射清洗液的喷嘴装置,在轴的基端部设置使该轴旋转并使该轴沿铅直方向移动的驱动机构,并设置能向反应炉的炉壁内供给蒸汽的蒸汽配管。 | ||
搜索关键词: | 反应炉 清洗 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种反应炉清洗装置,对生成多晶硅的反应炉的内壁面进行清洗,其特征在于,上述反应炉的炉壁为双层构造,该反应炉清洗装置包括:大致圆盘形状的承接盘,以水平状态设置于上述反应炉内;贯通孔,沿铅直方向形成于上述承接盘的中央部;排液口,形成于承接盘;凸缘部,形成在上述承接盘的外周部,在该凸缘部上设置生成多晶硅的反应炉的开口缘部;轴,穿过上述承接盘的贯通孔,并以绕轴心旋转自如且沿铅直方向移动自如的方式设置;喷嘴装置,设于上述轴的上端部,且向三维方向高压喷射清洗液;驱动机构,设于上述轴的基端部,使该轴旋转并使该轴沿铅直方向移动;蒸汽配管,设于上述炉壁的内壁和外壁之间,能够供给蒸汽。
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