[发明专利]半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910002706.0 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101593930A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 泷口透;奥贯雄一郎;境野刚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，具备：层叠有p型覆盖层、活性层以及n型覆盖层的脊结构；对所述脊结构的两侧进行埋入的埋入层，所述埋入层具有构成pn结的p型半导体层以及n型半导体层，所述p型半导体层或者所述n型半导体层的所述pn结附近的载流子浓度为5×1017cm-3以下。
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