[发明专利]具有提高电子迁移率的量子阱的显示基板和显示装置有效
| 申请号： | 200910002122.3 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101487961A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 尹甲洙;梁成勋;金成烈;吴和烈;崔在镐;崔龙模 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/017;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙，因此在所述第一半导体图案中形成量子阱，从而提高其中的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提高 电子 迁移率 量子 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
1. 一种显示基板，所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。
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