[发明专利]用于高动态范围图像传感器感测阵列的系统和方法有效
申请号: | 200880128376.3 | 申请日: | 2008-02-25 |
公开(公告)号: | CN101981694A | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
发明(设计)人: | S·达维多维奇 | 申请(专利权)人: | RJS科技公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于高动态范围图像传感器感测阵列的系统和方法。公开了一种异类图像传感器阵列的方法,所述图像传感器阵列包括互连在一起的多于一个的图像传感器结构。使用单个图像传感器结构输出数据或来自多于一个的图像传感器结构的输出数据,计算每个图像传感器结构或像素的最终图像传感器阵列图像输出。当与其它图像传感器阵列结构相比时,异类阵列表现出复杂性、成本、功耗、设备产量和可靠性方面的益处。 | ||
搜索关键词: | 用于 动态 范围 图像传感器 阵列 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器阵列,包括:至少两个通信的异类图像传感器,每个图像传感器对电磁辐射敏感并被用于感测来自外部场景的电磁辐射,并且根据这种感测创建外部场景的电子表示。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的