[发明专利]制备大功率LED阵列的方法无效
| 申请号： | 200880128209.9 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101919075A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王立;江风益;汤英文;刘军林 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大功率发光二极管(LED)的方法。该方法包括在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面；然后在所述生长衬底上的台面上制备铟镓铝氮(InGaAlN)LED多层结构，其中各个台面支撑独立的LED结构；然后将所述多层结构与导电衬底进行邦定；去除生长衬底；随后在所述的InGaAlN多层结构上沉积一层钝化层和电极层，所述钝化层覆盖凹槽的侧面和底部；形成导电通路以连接一定数量相邻的单个LED，使所述LED由同一个电源同时供电，从而形成大功率LED阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大功率 led 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备大功率发光二极管(LED)的方法，该方法包括：在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面；在所述生长衬底上的台面上制备铟镓铝氮(InGaAlN)LED多层结构，其中各个台面支撑独立的LED结构；将所述多层结构与导电衬底进行邦定；去除生长衬底；在所述的InGaAlN多层结构上沉积一层钝化层和电极层，所述钝化层覆盖凹槽的侧面和底部；形成导电通路以连接多个相邻的单个LED，使所述LED由同一个电源同时供电，从而形成大功率LED阵列。
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