[发明专利]反射电极、显示设备和显示设备的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880122612.0 申请日: 2008-12-25
公开(公告)号: CN101911157A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 越智元隆;后藤裕史 申请(专利权)人: 株式会社神户制钢所
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02B5/08;G02F1/1335;G02F1/1343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宝荣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种反射电极,其为构成反射电极的金属层不隔着阻障层而与构成透明电极的氧化物导电膜直接连接的反射电极,该反射电极即使实施例如约100℃~300℃以下的低热处理,也具有高反射率和低连接电阻、且不发生丘等缺陷而耐热性优异。本发明涉及形成于基板上的显示设备用的反射电极,所述反射电极具有含有0.1~2原子%的Ni和/或Co、以及0.1~2原子%的La等X的第一Al-(Ni/Co)-X合金层;含有Al和O(氧)的第二Al氧化物层。所述Al氧化物层与透明像素电极直接连接,所述Al氧化物层中的O原子数与Al原子数的比[O]/[Al]为0.30以下,所述Al氧化物层的最薄部分的厚度为10nm以下,所述反射电极在所述第二Al氧化物层与所述透明像素电极直接连接的区域中,形成于所述透明像素电极与所述基板之间。
搜索关键词: 反射 电极 显示 设备 制造 方法
【主权项】:
一种反射电极,其是形成于基板上的显示设备用的反射电极,所述反射电极具有第一Al (Ni/Co) X合金层和第二Al氧化物层,所述第一Al (Ni/Co) X合金层含有0.1~2原子%的选自Ni和Co中的至少一种元素以及0.1~2原子%的X,所述第二Al氧化物层含有Al和O(氧),所述X为选自La、Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pt、Pd、Ir、Ce、Pr、Gd、Tb、Dy、Nd、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Y、Fe、Sm、Eu、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素,所述第二Al氧化物层与透明像素电极直接连接,所述第二Al氧化物层中的O原子数与Al原子数之比[O]/[Al]为0.30以下,所述第二Al氧化物层的最薄部分的厚度为10nm以下,所述反射电极在所述第二Al氧化物层与所述透明像素电极直接连接的区域中,形成于所述透明像素电极与所述基板之间。
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