[发明专利]反射电极、显示设备和显示设备的制造方法

权利要求书

1.一种反射电极，其是形成于基板上的显示设备用的反射电极，

所述反射电极具有第一Al-(Ni/Co)-X合金层和第二Al氧化物层，

所述第一Al-(Ni/Co)-X合金层含有0.1～2原子％的选自Ni和Co中的至少一种元素以及0.1～2原子％的X，

所述第二Al氧化物层含有Al和O(氧)，

所述X为选自La、Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pt、Pd、Ir、Ce、Pr、Gd、Tb、Dy、Nd、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Y、Fe、Sm、Eu、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素，

所述第二Al氧化物层与透明像素电极直接连接，

所述第二Al氧化物层中的O原子数与Al原子数之比[O]/[Al]为0.30以下，

所述第二Al氧化物层的最薄部分的厚度为10nm以下，

所述反射电极在所述第二Al氧化物层与所述透明像素电极直接连接的区域中，形成于所述透明像素电极与所述基板之间。

2.根据权利要求1所述的反射电极，其中，

所述第一Al-(Ni/Co)-X合金层含有0.1～2原子％的Ni。

3.根据权利要求1所述的反射电极，其中，

所述第一Al-(Ni/Co)-X合金层含有0.1～2原子％的选自Ni和Co中的至少一种元素、以及0.1～2原子％的选自La和Nd中的至少一种元素。

4.根据权利要求3所述的反射电极，其中，

所述第一Al-(Ni/Co)-X合金层含有0.1～2原子％的Ni和0.1～2原子％的La。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的反射电极，其中，

所述第一Al-(Ni/Co)-X合金层还含有0.1～2原子％的Z，所述Z为选自Ge、Cu和Si中的至少一种元素。

6.根据权利要求5所述的反射电极，其中，

所述第一Al-(Ni/Co)-X合金层含有0.1～2原子％的选自Ni和Co中的至少一种、0.1～2原子％的选自La和Nd中的至少一种以及0.1～2原子％的选自Ge和Cu中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的反射电极，其中，

所述透明像素电极为氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种。

8.一种显示设备，其具备权利要求1～4中任一项所述的反射电极。

9.一种显示设备，其具备权利要求5所述的反射电极。

10.显示设备的制造方法，所述显示设备具备权利要求1～4中任一项所述的反射电极，

所述显示设备的制造方法依次包括：

在基板上利用溅射蒸镀形成Al-(Ni/Co)-X合金层的工序；

在真空或惰性气体气氛中以200℃以上的温度对所形成的Al-(Ni/Co)-X合金层进行热处理的工序；以及

利用溅射蒸镀形成透明像素电极的工序。

11.显示设备的制造方法，所述显示设备具备权利要求1～4中任一项所述的反射电极，

所述显示设备的制造方法依次包括：

在基板上利用溅射蒸镀形成Al-(Ni/Co)-X合金层的工序；以及

在所形成的Al-(Ni/Co)-X合金层上利用溅射蒸镀形成透明像素电极的工序，该工序中至少在所述溅射蒸镀的初始阶段，在含有氮成分的蒸镀气氛中进行溅射蒸镀。

12.显示设备的制造方法，所述显示设备具备权利要求1～4中任一项所述的反射电极，

所述显示设备的制造方法依次包括：

在基板上利用溅射蒸镀形成Al-(Ni/Co)-X合金层的工序；

对所形成的Al-(Ni/Co)-X合金层进行反溅射的工序；以及

利用溅射蒸镀形成透明像素电极的工序。

13.根据权利要求10所述的显示设备的制造方法，其中，

所述Al-(Ni/Co)-X合金层还含有0.1～2原子％的Z，所述Z为选自Ge、Cu和Si中的至少一种元素。

14.根据权利要求11所述的显示设备的制造方法，其中，

所述Al-(Ni/Co)-X合金层还含有0.1～2原子％的Z，所述Z为选自Ge、Cu和Si中的至少一种元素。

15.根据权利要求12所述的显示设备的制造方法，其中，

所述Al-(Ni/Co)-X合金层还含有0.1～2原子％的Z，所述Z为选自Ge、Cu和Si中的至少一种元素。