[发明专利]具有减小的电流密度的磁性元件有效
| 申请号： | 200880116627.6 | 申请日： | 2008-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101861622A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | N·里佐;P·马瑟 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有减小的电流密度的磁性元件。一种存储装置，包括固定磁性层、在固定磁性层上方的隧道势垒层、及形成在隧道势垒层上方的自由磁性结构，其中，自由磁性结构具有弱铁磁性地耦合的子层的层。因而，低编程电压可用来避免隧道势垒击穿，并且小导通晶体管可用来节省模具不动产。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 电流密度 磁性 元件 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：固定磁性层；在固定磁性层上方的隧道势垒层；和形成在隧道势垒层上方的自由磁性结构，其中，自由磁性结构包括：第一自由磁性层；与第一自由磁性层相接触的第一中间层；和第二自由磁性层，其中所述第二自由磁性层弱铁磁性地耦合到第一自由磁性层上并且与第一中间层相接触；并且其中：存储装置能够通过使自旋极化电子电流撞击在自由磁性结构上而被编程。
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