[发明专利]用于在编程期间补偿邻居单元的干扰电荷的非易失性存储器和方法有效

专利信息
申请号: 200880116492.3 申请日: 2008-09-02
公开(公告)号: CN101861624A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 李艳 申请(专利权)人: 桑迪士克公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 黄小临
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 被存储在非易失性存储器单元的电荷存储元件上的表观电荷的移动可能出现,因为基于被存储在相邻电荷存储元件中的电荷的电场的耦合。为了补偿这种耦合,对于给定存储器单元的编程处理可以考虑一个或多个相邻存储器单元的目标编程状态。在每个编程脉冲和编程单元的标准验证电平依赖于目标状态之后验证编程的量。验证电平是可由其目标状态确定的、依赖于来自相邻单元的干扰量的更低的偏移。优选地通过偏置相邻字线而不实际偏移标准验证电平,来虚拟地偏移验证电平。对于软编程擦除单元,考虑在两个相邻字线上的邻居单元。
搜索关键词: 用于 编程 期间 补偿 邻居 单元 干扰 电荷 非易失性存储器 方法
【主权项】:
一种并行地编程一组存储器单元而减少由于来自相邻存储器单元的干扰电场的差错的方法,包括:(a)选择要被并行编程到给定目标状态的一组存储器单元;(b)并行地向该组存储器单元施加预定的一定量编程波形电压,来增加被编程的每个存储器单元的阈值电压;(c)通过确定相对于预定验证电平而正被验证的存储器单元的阈值电压来相对于给定目标状态验证该组存储器单元的编程状态,该预定验证电平是给定目标状态和与正被验证的存储器单元相邻的存储器单元的目标状态的函数;(d)禁止进一步编程在该组中已经被验证的存储器单元;以及重复(b)到(d)直到该组的存储器单元都被验证为处于给定的目标存储器状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克公司,未经桑迪士克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880116492.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top