[发明专利]用于在编程期间补偿邻居单元的干扰电荷的非易失性存储器和方法有效
申请号: | 200880116492.3 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101861624A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 李艳 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 被存储在非易失性存储器单元的电荷存储元件上的表观电荷的移动可能出现,因为基于被存储在相邻电荷存储元件中的电荷的电场的耦合。为了补偿这种耦合,对于给定存储器单元的编程处理可以考虑一个或多个相邻存储器单元的目标编程状态。在每个编程脉冲和编程单元的标准验证电平依赖于目标状态之后验证编程的量。验证电平是可由其目标状态确定的、依赖于来自相邻单元的干扰量的更低的偏移。优选地通过偏置相邻字线而不实际偏移标准验证电平,来虚拟地偏移验证电平。对于软编程擦除单元,考虑在两个相邻字线上的邻居单元。 | ||
搜索关键词: | 用于 编程 期间 补偿 邻居 单元 干扰 电荷 非易失性存储器 方法 | ||
【主权项】:
一种并行地编程一组存储器单元而减少由于来自相邻存储器单元的干扰电场的差错的方法,包括:(a)选择要被并行编程到给定目标状态的一组存储器单元;(b)并行地向该组存储器单元施加预定的一定量编程波形电压,来增加被编程的每个存储器单元的阈值电压;(c)通过确定相对于预定验证电平而正被验证的存储器单元的阈值电压来相对于给定目标状态验证该组存储器单元的编程状态,该预定验证电平是给定目标状态和与正被验证的存储器单元相邻的存储器单元的目标状态的函数;(d)禁止进一步编程在该组中已经被验证的存储器单元;以及重复(b)到(d)直到该组的存储器单元都被验证为处于给定的目标存储器状态。
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