[发明专利]编程期间偏置相邻字线以验证的非易失性存储器和方法有效
| 申请号： | 200880116477.9 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101861623A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李艳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于非易失性存储器的各种编程技术包括相对于目标阈值电平对存储器单元编程。国产包括初始地相对于比目标阈值电平少预定偏量的第一验证电平编程。之后，相对于目标阈值电平完成编程。对于利用第一验证电平的验证，有效地使用虚拟第一验证电平，其中在所选字线上使用目标阈值电平，在邻近的未选字线上使用偏压。由此，优选地，通过偏置一个或多个邻近字线取代实际偏置标准验证电平，虚拟地偏移第一编程通路或编程阶段中的验证电平，以便避免低电平上的验证。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 期间 偏置 相邻 验证 非易失性存储器 方法 | ||
【主权项】：
在具有能由字线和位线访问的存储器单元的阵列的非易失性存储器中，各个存储器单元中的每一个能相对于相关联的目标阈值电平编程，一种对群组的各个存储器单元并行编程的方法，包括：在第一通路中对所述群组编程，从而被编程的各个存储器单元中的每一个被验证为比所述相关联的目标阈值电平少预定偏量；在后续通路中对所述群组编程，从而被编程的各个存储器单元中的每一个被验证为所述相关联的目标阈值电平；以及其中在第一通路中对所述群组编程还包括：通过利用被施加到访问各个存储器单元的字线的所述相关联的目标阈值电压和被施加到第一邻近字线的第一预定偏压进行感测，将要相对于所述相关联的目标阈值电平编程的各个存储器单元验证为比所述相关联的目标阈值电平少预定偏量。
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