[发明专利]向外延生长基片输送前体气体的装置有效
| 申请号： | 200880114701.0 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101849042A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 尚塔尔·艾尔纳;克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬;罗纳德·托马斯·小伯特伦;埃德·林多;丹尼斯·L·古德温 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了延伸到生长室中以提供热化前体气体的更准确输送的气体注射器装置。该改进的注射器可将受热的前体气体以在冲击生长基片之前彼此在空间上分开、具有足以大量制造的量的流分配到生长室中。重要的是，该改进的注射器的大小和构造可使其适合于现有的商品化生长室，且不妨碍随所述室使用的机械和机器人基片处理设备的运行。本发明可用于多种元素和化合物半导体的大量生长，尤其可用于III族-V族的化合物和GaN的大量生长。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 输送 气体 装置 | ||
【主权项】：
一种用于将气态前体分配至外延生长室中的注射器装置，所述装置包括：一条或多条从邻近室壁的近端部到存在于所述室中的外延生长基片附近的远端部、水平延伸到所述生长室中的管道；所述管道各自具有邻近室壁并带有至少一个用于接收气流的开口的近端部；并且所述管道各自具有位于所述基片附近并带有用于将所述气流分配到所述室中的多个端口的远端部。
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