[发明专利]制备用氧化钼制成的电极的方法有效
| 申请号： | 200880110997.9 | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101821855A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | S·奥雷;N·詹克 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/032 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘维升;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及特别地用于参与构造太阳能电池的基材，其一个面，被称为内面，用于接受钼基导电元件。这种基材特征在于导电元件由多个基于钼的层形成，这些层的至少一个富于氧化钼。本发明还涉及使用这种基材的太阳能电池和制造其的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化钼 制成 电极 方法 | ||
【主权项】：
基材，特别地用来参与构造太阳能电池的基材，其一个面，被称为内面，用来接受钼基导电元件，特征在于该导电元件由多个基于钼的层形成，这些层的至少一个富集氧化钼。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
