[发明专利]发光结构有效
| 申请号： | 200880106226.2 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101803045A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 阿德里安·斯特凡·阿夫拉梅斯库;汉斯-于尔根·卢高尔;马蒂亚斯·彼得;斯特凡·米勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;许伟群 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出了一种发光结构(7)，其具有：用于注入空穴的p掺杂区域(1)；用于注入电子的n掺杂区域(2)；至少一个第一类的InGaN量子阱(4)和至少一个第二类的InGaN量子阱(5)，它们设置在n掺杂区域(2)和p掺杂区域(1)之间，其中第二类的InGaN量子阱(5)具有比第一类的InGaN量子阱(4)更高的铟含量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种发光结构(7)，包含：-用于注入空穴的p掺杂区域(1)，-用于注入电子的n掺杂区域(2)，-有源区，其具有至少一个第一类的InGaN量子阱(4)和至少一个第二类的InGaN量子阱(5)，该有源区设置在n掺杂区域(2)和p掺杂区域(1)之间，其中第二类的InGaN量子阱(5)具有比第一类的InGaN量子阱(4)更高的铟含量。
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