[发明专利]使用直接铜镀制造电子器件的方法无效
| 申请号： | 200880101397.6 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101772830A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 衡石·亚历山大·尹;弗里茨·瑞德克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的金属化的方法和结构。本发明的一个方面是形成具有铜金属化的半导体器件的方法。在一个实施方式中，该方法包括提供具有对于铜的扩散阻挡层的图案化的晶片；在该扩散阻挡层上沉积无铜种晶层，其对空隙填充铜的直接的电化学沉积有效。该种晶层是由保形沉积工艺和由非保形沉积工艺形成的。该方法进一步包括在该种晶层上电镀铜空隙填充。本发明的另一个方面包括使用根据本发明的各实施方式的方法和结构制造的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 直接 制造 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成具有铜金属化的半导体器件的方法，该方法包含：提供具有对于铜的扩散阻挡层的图案化的晶片；在该扩散阻挡层上沉积无铜种晶层，其对空隙填充铜的直接的电化学沉积有效，该种晶层是由保形沉积工艺和由非保形沉积工艺形成的；以及在该种晶层上电镀铜空隙填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
