[发明专利]体衬底上制造的被隔离的三栅极晶体管在审
| 申请号： | 200880025190.5 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101755327A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | R·里奥斯;J·T·卡瓦列罗斯;S·M·塞亚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成被隔离的三栅极半导体主体的方法，包括：对体衬底进行构图，以形成鳍结构；在所述鳍结构周围沉积绝缘材料；使所述绝缘材料凹陷，以暴露所述鳍结构的将用作所述三栅极半导体主体的部分；在所述鳍结构的被暴露部分上沉积氮化物盖，以保护所述鳍结构的被暴露部分；以及执行热氧化工艺，以氧化所述鳍结构位于所述氮化物盖下方的未被保护部分。所述鳍结构的被氧化部分隔离受所述氮化物盖保护的所述半导体主体。然后可以去除所述氮化物盖。所述热氧化工艺可以包括在大约900℃和大约1100℃之间的温度下、在大约0.5小时和大约3小时之间的时间段内对所述衬底进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制造 隔离 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成被隔离的半导体主体的方法，包括：对体衬底进行构图，以形成鳍结构；在所述鳍结构周围沉积绝缘材料；使所述绝缘材料凹陷，以暴露所述鳍结构的一部分；在所述鳍结构的被暴露部分上沉积氮化物盖，以保护所述鳍结构的被暴露部分；进行热氧化工艺，以氧化所述鳍结构位于所述氮化物盖下方的未被保护部分，从而使所述鳍结构的被保护部分与所述体衬底隔离；以及去除所述氮化物盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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