[发明专利]碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备无效
| 申请号： | 200880024373.5 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101689030A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | M·M·J·W·范赫彭;W·A·索尔;K·杰里森 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G21K1/00;H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源(2)发射的碎片与来自辐射源(2)的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。碎片防止系统包括：孔(3)，其限定来自所述辐射源(2)的所述辐射的最大发射角(α)；和第一碎片阻挡件(4、4’)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、41)包括可旋转翼片阱。碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件(5)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、4’)配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件(5)配置成覆盖所述发射角(θ)的另一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 碎片 防止 系统 辐射 以及 光刻 设备 | ||
【主权项】：
1.一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源发射的碎片与来自辐射源的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播，所述碎片防止系统包括：孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率，所述第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱；和第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率，其中所述第一碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的另一部分。
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