[发明专利]用于生产半导体器件特别是太阳能电池的金属背部触点的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造半导体器件的背部触点(21)的方法和用于实施所述方法的真空处理系统的使用方法，所述半导体器件特别是太阳能电池(20)，所述背部触点包括真空处理室中的衬底(22)背部上的金属层(24)。通过所述方法以及其使用方法，因为不需要用于旋转衬底(22)的处理系统，特别是可以省掉丝网印刷步骤，所以尤其是硅基太阳能电池(20)可以在连续工艺序列中以简单的方式设置有背部触点(21)，其中可以特别高效的和经济的设置所述工艺序列。

主权项

1.一种用于生产半导体元件的背部触点(21)的方法，所述半导体元件优选太阳能电池，尤其是硅基太阳能电池(20)，其中所述背部触点(21)包括衬底(22)背部上的金属层(24)，所述半导体器件(20)在所述衬底(22)的正面和/或背部可具有额外层(23、25、27、28)，通过沉积工具(14、15、16)设置所述层(23、24、25、27、28)，其中在在线真空沉积系统(1)中由靶材(15)通过溅射或者通过气相沉积来沉积所述金属层(24)，在沉积所述金属层(24)的前后，在所述在线真空沉积系统(1)中沉积至少一个所述额外层(23、25、27、28)而无需中断真空。